在新能源汽车、光伏逆变器等下游需求爆发的驱动下，半导体功率器件（IGBT、SiC MOSFET、GaN HEMT等）成为常州“新能源之都”建设的核心支撑。然而，这类人才因技术门槛高、实战经验稀缺，长期处于“一将难求”状态。作为深耕常州半导体领域的猎头机构，珏佳近三年累计交付40余个功率器件研发岗位，其中三个经典案例，展现了从“技术卡点”到“人才破局”的专业路径。

案例一：SiC MOSFET设计专家的“技术理想”共鸣

某公司启动车规级SiC MOSFET研发，需突破“栅氧层可靠性”与“导通电阻优化”两大瓶颈，但市场上兼具材料物理知识与芯片设计经验的人才不足百人，且多被英飞凌、Wolfspeed等国际巨头垄断。珏佳通过IEEE Electron Device Letters论文作者追踪，发现一位留美博士——其博士论文聚焦“SiC/SiO₂界面态调控”，曾参与某国际大厂SiC器件失效分析项目，却因“大厂分工过细，难接触全流程”而寻求新机会。

珏佳并未直接推销岗位，而是组织其与公司CTO进行“技术沙盘推演”：围绕“如何通过界面氮化处理降低阈值电压漂移”展开讨论，并展示企业自建的SiC材料表征平台（含XPS、AFM等设备）。当候选人看到企业愿为其开放“从材料选型到流片验证”的全权限时，最终以“技术总监”身份加盟。入职后，其主导的“梯度氧化层结构”设计，使器件栅氧寿命从1000小时延长至5000小时，导通电阻降低15%，帮助某公司成为国内首家通过AEC-Q101认证的SiC MOSFET供应商。

案例二：IGBT工艺整合工程师的“场景化能力”验证

某公司IGBT产线良率长期徘徊在82%（行业标杆90%），核心问题是“背面减薄工艺导致晶圆翘曲”。传统猎头推荐的候选人多标榜“精通离子注入”，却无法解决“减薄后应力集中”这一细分难题。珏佳转换思路，从光伏逆变器企业挖掘“技术迁移者”——某工程师虽无IGBT经验，但在光伏PERC电池“背面抛光减薄”中成功将碎片率从5%降至0.5%，其掌握的“应力仿真+分步减薄”技术逻辑高度匹配。

为验证能力，珏佳设计“场景化测评”：要求候选人针对某公司提供的IGBT晶圆样品，提交“翘曲控制方案”。该工程师通过ANSYS模拟发现，原工艺“单次减薄50μm”导致应力累积，提出“分三次减薄（20μm+20μm+10μm）+ 中间退火”方案，经中试验证，翘曲度从120μm降至30μm，良率提升至91%。珏佳以此说服企业，以“基础薪资+良率提升分成”的弹性薪酬将其引进，半年后其主导的工艺优化使产线年节约成本超千万元。

案例三：功率模块封装人才的“生态协同”吸引

某公司布局车规级功率模块（含IGBT+SiC混合封装），需“懂热管理+材料匹配+可靠性测试”的复合型人才，但这类人才多藏身于台达、斯达半导等头部企业，且对常州“非一线城市”的区位存疑。珏佳通过“生态展示+政策嫁接”破局：一方面，安排候选人参观常州“新能源汽车核心零部件产业园”，实地考察某公司建设的“模块级热仿真实验室”与“三温区可靠性测试线”；另一方面，详解常州“龙城英才计划”中“功率半导体专项补贴”——对引进的领军人才给予最高500万元项目资助，并提供人才公寓与子女入学便利。

同时，珏佳发现该候选人曾参与过某车型电驱系统开发，便联动企业对接本地车企资源，承诺“模块研发可直接对接主机厂测试需求”。最终，这位来自某头部模块厂的工程师以“技术顾问+项目跟投”形式加入，其主导的“双面冷却+高导热硅脂”封装方案，使模块功率密度提升20%，顺利通过某新势力车企的冬测验证，助力某公司斩获年度10万套订单。

这些案例揭示功率器件人才猎聘的核心逻辑：技术深度与场景经验的双重匹配。珏佳的实践表明，企业需摒弃“唯学历论”，通过“技术沙盘推演”验证能力、“场景化测评”替代空谈、“生态资源展示”弥补区位短板。对常州中小企业而言，更需以“灵活机制+成长空间”吸引人才——如“项目跟投”“技术分红”等激励，让人才从“打工者”变为“事业合伙人”。

未来，随着常州功率器件产业集群效应增强，珏佳建议企业构建“产学研用”协同网络：联合常州大学微电子学院开设“功率器件工艺”定向班，提前锁定潜力人才；参与“长三角半导体人才联盟”，共享头部企业退休专家资源。唯有将人才战略嵌入产业生态，方能在功率器件这场“国产替代攻坚战”中，以“人才密度”换取“技术突破速度”。